A、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的20%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、邊長(zhǎng)100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長(zhǎng)100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。