A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
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A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個(gè)試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過1%時(shí),取中間值作為測定值
C、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí),取中間值作為測定值
D、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí),試驗(yàn)結(jié)果無效
A、當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí),取其余2個(gè)測值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí),強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()