A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過快凍法來測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過慢凍法來測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
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A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過快凍法來測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過慢凍法來測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí),試驗(yàn)結(jié)果無效
A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí),取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí),強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
PN結(jié)的基本特性是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。