A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應高于凍融試驗試件
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A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個試件的測值有出現(xiàn)負值的,應先把負值取為0再進行計算與結(jié)果確定
B、按選項A處理后,當3個試件的測值中有1個且僅有1個極值與中間值之差超過1%時,取中間值作為測定值
C、按選項A處理后,當3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時,取中間值作為測定值
D、按選項A處理后,當3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時,試驗結(jié)果無效
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列是晶體的是()。
可用作硅片的研磨材料是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。