A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強(qiáng)度
D、干密度
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A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()