A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強(qiáng)度
D、干密度
A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
可用作硅片的研磨材料是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。