A、試件任一端涂蓋層不應(yīng)與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應(yīng)超過(guò)胎基
C、試件無(wú)流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個(gè)試件符合要求可判定為合格
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A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
A、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到1N/cm
C、扯斷伸長(zhǎng)率精確到1%
D、扯斷伸長(zhǎng)率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長(zhǎng)率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃，2h無(wú)位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃，無(wú)裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
最新試題
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）