A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
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A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為（150±1）mm×（25±1mm）
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取，長(zhǎng)邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG，Ⅰ，3.0mm
B.APPPY，Ⅰ，4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET，Ⅱ，1.5mm
D.濕鋪防水卷材P，Ⅰ，1.5mm
A.SBSGⅠ3.0mm
B.APPPYⅠ4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅡ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PEⅠ1.5mm
A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
PN結(jié)的基本特性是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。