最新試題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線(xiàn)作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()

題型:多項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題