填空題合金中的基本相分為（）和（）兩類.
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
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下列是晶體的是（）。
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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