A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
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A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí)，容易測(cè)出抗壓強(qiáng)度
D.檢測(cè)部位局部破損
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。