A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí)，容易測出抗壓強(qiáng)度
D.檢測部位局部破損
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
可用作硅片的研磨材料是（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）