A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》
E、《砌體工程現(xiàn)場檢測技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強(qiáng)度試驗報告單
C、各檢驗批的主控項目、一般項目的驗收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A、一個
B、二個
C、若干個
D、三個
E、以上都不對
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
硅片拋光在原理上不可分為()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。