A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
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A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》
E、《砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)報(bào)告單
C、各檢驗(yàn)批的主控項(xiàng)目、一般項(xiàng)目的驗(yàn)收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()