A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
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A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長(zhǎng)率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級(jí)
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動(dòng)性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過(guò)程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()