A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
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A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動(dòng)性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()