A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m;
B、同一墻體上測點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè),測點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測或砌體抗剪強(qiáng)度檢測一同使用。
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A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強(qiáng)度
D、泌水
A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
硅片拋光在原理上不可分為()