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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。