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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列是晶體的是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

PN結(jié)的基本特性是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。