填空題在鐵碳合金基本組織中屬于固溶體的有鐵素體和奧氏體，屬于金屬化合物的是滲碳體，屬于混合物的有（）和（）。
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在通常情況下，GaN呈（）型結構。
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最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
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只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
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與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
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硅片拋光在原理上不可分為（）
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載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題