單項選擇題冷熱加工的區(qū)別在于加工后是否存在（）。
A.加工硬化
B.晶格改變
C.纖維組織
D.以上答案都對
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1.單項選擇題再結(jié)晶和重結(jié)晶都有晶核的形成和晶核的長大兩個過程，它們的主要區(qū)別在于是否有（）的改變。
A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應(yīng)力狀態(tài)
D、以上答案都對
2.單項選擇題做疲勞試驗時，試樣承受的載荷為（）。
A、靜載荷
B、沖擊載荷
C、交變載荷
D、以上答案都對
5.填空題20CrMnTi鋼中20表示（）。
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題