單項選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括（）
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
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1.單項選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較，（）
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
2.單項選擇題下列氧化物中，加入過量會使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
3.單項選擇題扎哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧多面體應當相互（）
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
4.單項選擇題能夠單獨形成玻璃網(wǎng)絡形成體的單鍵能一般大于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
5.單項選擇題玻璃熔制的主要設備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題