A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
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A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
可用作硅片的研磨材料是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）