A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
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A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、砼坍落度儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、鋼板尺
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長(zhǎng)、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）