A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
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A、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
硅片拋光在原理上不可分為()
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()