A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
B、≥C30且＜C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.05～0.08MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
D、A、B、C選項都不對
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A、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強度等級的砼應(yīng)由試驗確定
A、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時，該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時，該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時，該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2～0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5～0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8～1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8～2.25kN
A、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、＜C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗機壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）