A、內(nèi)縮量試驗(yàn)
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗(yàn)
D、張拉錨固工藝試驗(yàn)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、內(nèi)縮量
B、總應(yīng)變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗(yàn)應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、測量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實(shí)驗(yàn)結(jié)果為3組平行實(shí)驗(yàn)的平均值
A、內(nèi)縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過測量預(yù)應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
A、總應(yīng)變測量若采用量具標(biāo)距的方式,標(biāo)距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()