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只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

下列是晶體的是（）。 

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。