A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
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A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無(wú)需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動(dòng)加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會(huì)造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對(duì)槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測(cè)荷載值精度高
D.計(jì)算過(guò)程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測(cè)的專(zhuān)業(yè)人士進(jìn)一步開(kāi)發(fā)改進(jìn)。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。