單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
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1.單項(xiàng)選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)行磚的抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)和強(qiáng)度等級(jí)評(píng)定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
2.單項(xiàng)選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
3.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測方法和在墻體上選定測點(diǎn)，（）測點(diǎn)可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
4.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法檢測普通磚和燒結(jié)多孔磚強(qiáng)度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
5.單項(xiàng)選擇題砂漿片局壓法檢測水泥石灰砂漿強(qiáng)度時(shí)砂漿強(qiáng)度范圍限于（）。
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題