A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
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A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
A.每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
A.4
B.5
C.6
D.7
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）