A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
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A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
A.試件搬運(yùn)過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
硅片拋光在原理上不可分為（）
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。