A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點荷法和射釘法（貫入法）
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A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
A、一般情況下，用理論方法計算，即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實際情況確定，然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗，宜采用實測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗，宜采用實測破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點位置
D、偏心
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。