填空題扁頂法測(cè)試墻體的受壓工作應(yīng)力值，終止加載條件是實(shí)測(cè)變形值達(dá)到（）。
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PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
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對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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下列是晶體的是（）。
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題