宁国都颈装饰工程有限公司

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列是晶體的是（）。 

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。