單項(xiàng)選擇題高鋁礬土按其成因可分為()和風(fēng)化兩種類(lèi)型。

A、沉淀
B、溶解
C、粉合
D、A+B


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1.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中,BaO可以穩(wěn)定()。

A、α-C2S
B、C3A
C、β-C2S
D、γ-C2S

3.單項(xiàng)選擇題在陶瓷和玻璃工業(yè)中常用之做熔劑原料是()。

A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉

4.單項(xiàng)選擇題石英的主要化學(xué)成分為()。

A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO

最新試題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題