問答題我國墻體材料的改革趨勢是什么？墻體材料有哪幾大類？

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1.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯

3.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定

4.單項選擇題PN結(jié)的基本特性是（）

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性

6.單項選擇題把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。

7.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷

8.單項選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)

9.單項選擇題下列是晶體的是（）。 

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

最新試題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

題型：單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：單項選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項選擇題