單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對誤差不應(yīng)大于()。

A.1%
B.2%
C.3%
D.4%


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3.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件運(yùn)至試驗(yàn)室后,試件上下表面修理平整,頂面應(yīng)用()找平。

A.1:1水泥砂漿
B.1:2水泥砂漿
C.1:3水泥砂漿
D.1:4水泥砂漿

5.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法的測試設(shè)備,切割墻體豎向通縫的切割機(jī),以下哪個(gè)不符合要求()。

A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)

最新試題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()

題型:單項(xiàng)選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()

題型:單項(xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()

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屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:單項(xiàng)選擇題