單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護(hù)（）后，再進(jìn)行抗壓測(cè)試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
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1.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件運(yùn)至試驗(yàn)室后，試件上下表面修理平整，頂面應(yīng)用（）找平。
A.1：1水泥砂漿
B.1：2水泥砂漿
C.1：3水泥砂漿
D.1：4水泥砂漿
2.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗(yàn)機(jī)，其精度（示值的響度誤差）不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
3.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法的測(cè)試設(shè)備，切割墻體豎向通縫的切割機(jī)，以下哪個(gè)不符合要求（）。
A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)宏觀檢測(cè)墻體的砌筑質(zhì)量差或砌筑砂漿強(qiáng)度等級(jí)低于（）時(shí)，不宜選用切制抗壓試件法。
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
5.單項(xiàng)選擇題扁頂法測(cè)試砌體受壓彈性模量時(shí)，累計(jì)加荷的應(yīng)力上限不應(yīng)大于槽間砌體極限抗壓強(qiáng)度的（）。
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題