A、技術(shù)要求
B、試驗(yàn)方法
C、檢驗(yàn)規(guī)則
D、放射性核素限量
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A、700
B、600
C、1300
D、1400
A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí)；
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí)；
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)（干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次）
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
下列是晶體的是（）。